e星球:第三代半导体材料高速增长下看中国力量如何加速“国产替(2)

2019-09-06 21:41郴州新闻网,郴州论坛,郴州民生、

  泰科天润半导体是我国SiC功率器件产业化的倡导者之一,同时也是国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造与应用解决方案提供商。公司旗下产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案,基础核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表。其中,600V/5A~50A、1200V/5A~50A和1700V/10A等系列的碳化硅肖特基二极管产品已投入批量生产,品质达到比肩国际同行业的先进水平。

  今年早些时候,三峡建信、广发乾和和拓金资本完成对泰科天润近亿元的C轮投资。几家资本大力进入碳化硅产业,与泰科天润一同推动国产碳化硅功率器件在工业各领域的进程,加快碳化硅功率器件的产业化步伐。

  除此之外,基本半导体、扬杰科技也是国内SiC功率器件产业的佼佼者。前者于今年初正式发布了国内首款拥有自主知识产权的工业级碳化硅MOSFET,产品各项性能达到国际领先水平,目前公司正不断提速车规级碳化硅功率器件的研发和测试;后者作为功率器件领域的后起之秀,依托“内生+外延”的发展路径,持续推进第三代宽禁带半导体碳化硅项目的研发及产业化。值得一提的是,这些企业都将以展商的身份悉数亮相2020慕尼黑上海电子展,期待他们带来的SiC领域的最新技术资讯吧!

  今年6月6日,工信部正式向中国电信、中国移动、中国联通和中国广电发放5G商用牌照,标志着我国正式步入5G商用元年。由于5G频谱高、基站覆盖面变小,因此5G建设需要更多的小基站才能消除盲区。通讯频段向高频迁移、基站数量激增,两大诱因之下GaN器件在5G时代的发展前景被市场普遍看好。

  据拓墣产业研究院预测,2019-2020年5G网络的实施将接棒推动GaN市场增长。以GaN放大器为例,预计2019年中国基站端GaN放大器将同比增长71.4%,在可预见的2020年5G建设将迎来爆发,基站端GaN放大器市场规模达32.7亿元。预计到2023年基站端GaN放大器市场规模达121.7亿元。

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  事实上,GaN毫米波器件的确契合5G通讯的需求:在5G毫米波应用上,GaN的高功率密度特性在实现相同覆盖条件及用户追踪功能下,可有效减少收发通道数及整体方案的尺寸。凭借GaN毫米波器件的优势,它能够在高性能无线解决方案中发挥关键作用。

  当前,全球基站端射频器件的供应商以IDM企业为主,主要有住友电工SEDI 、Infineon、Wolfspeed、Qorvo、MACOM、Ampleon和RFHIC等。其中,住友电工和Cree是全球GaN射频器件行业的龙头企业,市场占有率均超过30%,其次为Qorvo和MACOM。

  除了实力强劲的欧美日韩半导体企业之外,在GaN领域也不乏表现突出的国产玩家,中晶半导体正是其中之一。该公司成立于2010年,主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑,以GaN衬底为基础重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术。同时,中晶半导体以GaN衬底材料技术为基础,孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术,并进行全球产业布局。

  三安集成成立于2014年,其母公司三安光电是一家LED外延芯片龙头企业。三安集成是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域的化合物半导体制造平台,具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力,拥有大规模、先进制程能力的 MOCVD 外延生长制造线月底,美的集团宣布与三安集成电路战略合作,双方将共同成立“第三代半导体联合实验室”,共同推动第三代半导体功率器件的创新发展,加快国产半导体器件导入白色家电行业。目前,三安集成已小批量生产砷化镓、氮化镓和碳化硅产品,并陆续投用市场。

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